一、HAXPES简介：

    传统的XPS采用软X射线作为激发源，通常为Al Kα（能量为1486.6eV）或者Mg Kα（能量为1253.6eV），其分析深度一般是10nm左右，对于更深范围内的元素化学信息，通常只能借助离子刻蚀的方法来获得，但其不利因素是会引起材料表面化学结构的改变。而HAXPES技术采用更高能量的硬X射线为激发源（如Cr Kα，能量为5414.9eV，或者同步辐射源）可以获取数倍于常规XPS分析深度范围内的化学信息（见图1），大大减弱了来自表面污染层的干扰，同时通过检测元素更接近芯能级的光电子信号可以对材料界面层进行无损剖析，这对于固体材料表/界面化学分析是一个非常重要的应用。

详情见http://cpam.iccas.ac.cn/doclist.action?chnlid=3653