X射线光电子能谱仪（XPS）是一种表面敏感的分析技术，其分析深度约10 nm，它提供的仅是样品表面的元素定性、定量与化学态信息，并不能直接反映样品体相的化学状态。然而在研究各种材料的镀层，有机/无机材料的界面，检测生物器件上等离子沉积镀层以及研究有机发光电子器件（如OLED）和太阳能电池的工作中，我们需要将XPS技术扩展应用到材料内部结构的分析，对此我们结合离子刻蚀方法来剖析不同深度范围内元素及化学态的变化。对于有机/聚合物材料和无机/氧化物材料进行深度剖析时，由于传统的单粒子源Ar⁺离子在刻蚀过程中很容易造成材料化学结构的破坏，引起表面元素化学态改变，因此针对这类材料的刻蚀我们通常选用气体团簇离子源，可以实现无损深度剖析从而获得材料表面的本征化学结构信息。

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